AiT SCHOTTKY DIODE
" (167547)AiT 与世强控股的代理协议
2019年3月，创瑞科技股份有限公司与世强控股有限公司签署了分销协议。 In 201903, AiT Semiconductor Inc. And Selorm Limited signed a Distribution Agreement.
创瑞科技电源管理IC_产品树
该资料展示了AiT公司功率管理集成电路（IC）的产品树结构。产品分类包括放大器、AC-DC控制器、电池管理、DC-DC转换器、DDR电源IC、EEPROM、霍尔IC、IGBT门极驱动器、接口（RS-232/RS-485）、LED驱动器、逻辑与电平转换器、MOSFET、电机驱动器、稳压器、继电器驱动器、复位IC（监控器）、开关和触摸屏驱动器等。每个类别下又细分为多个子类别，如音频放大器、运算放大器、比较器、Buck转换器、Boost转换器等。
BAT54CL SCHOTTKY DIODES DUAL SERIES SCHOTTKY BARRIER DIODES
AIT OP-amplifier Cross Reference （TI、ADI、Microchip 、ST）
AiT Application Block Diagrams
RB751V-40 SCHOTTKY DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODE
RB050L-40 SCHOTTKY DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54SW SCHOTTKY DIODES DUAL SERIES SCHOTTKY BARRIER DIODES
BAT54AL 30 VOLTS SCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SCHOTTKY DIODES
BAT54S DUAL SERLES SCHOTTKY BARRLER DLODES3 PIN SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
BAT42W~BAT43W SCHOTTKY DIODES
BAT54H SCHOTTKY DIODE REVERSE VOLTAGE 30V FORWARD CURRENT 200mA
SD103AWS~SD103CWS SCHOTTKY DIODE REVERSE VOLTAGE 20 TO 40V FORWARD CURRENT 350mA
MSD103A~MSD103C SCHOTTKY DIODES SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
RB520S-30 SCHOTTKY DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODE
A6318AE5VR-ADJ（SVHC）测试报告（TSNEC2000076507）
本报告为SGS出具，编号TSNEC2000076507，日期2020年1月20日。报告内容涉及AiT Semiconductor Inc.提交的A6318AE5VR-ADJ SOT-25产品样本的SVHC（高度关注物质）测试。测试结果显示，样本中SVHC含量均低于0.1%（重量比），符合相关法规要求。报告还包括详细的测试方法、结果和附录，列出了所有测试的SVHC物质及其浓度。
A6303CE3R-18（SVHC）测试报告（TSNEC2000076507）
本报告为SGS出具，编号TSNEC2000076507，日期2020年1月20日。报告内容涉及AiT Semiconductor Inc.的A6303CE3R-18 SOT-23产品，以及TIAN SHUI HUA TIAN TECHNOLOGY CO.,LTD.的SOT236-PINLEAD PLAYING PART产品。报告对样品进行了SVHC（高度关注物质）筛查，结果显示所有测试的SVHC浓度均低于0.1%（w/w），符合相关法规要求。
A8169（SGS）测试报告SHAEC2008668901
本报告为上海祥欣集成电路有限公司提交的SOT绿色产品样品测试报告，编号SHAEC2008668901，测试日期为2020年5月22日至27日。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果及测试流程图等。测试项目涉及RoHS指令限定的有害物质、卤素、邻苯二甲酸盐、PFOS/PFOA、多环芳烃等，所有测试项目均未检测到限值以下的有害物质。
A8169 SVHC（SVHC）测试报告SHAEC1927444201
本报告为上海祥欣集成电路有限公司提交的SOP和SOT绿色产品的SVHC（高度关注物质）测试报告。测试结果显示，样品中SVHC含量均低于0.1%（重量比），符合欧盟REACH法规的要求。报告详细列出了所有测试的SVHC物质及其浓度限值，并提供了测试方法和结果。
A8169E6R-025（SGS）测试报告TSNEC2000076307
本报告为SGS出具的一份关于SOT236-PINLEAD（纯锡镀层产品）的测试报告。报告编号为TSNEC2000076307，测试日期为2020年1月21日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令2015/863的规定。
A8169E6R-025（SVCH）测试报告TSNEC2000076307
本报告为SGS出具的一份关于SOT236-PINLEAD（纯锡镀层产品）的测试报告。报告编号为TSNEC2000076307，测试日期为2020年1月21日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令2015/863的规定。
A6303CE3R-18（SVHC）测试报告（TSNEC2000076307）
本报告为SGS出具的一份关于SOT236-PINLEAD（纯锡镀层产品）的测试报告。报告编号为TSNEC2000076307，测试日期为2020年1月21日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令2015/863的规定。
A6318AE5VR-ADJ（SGS）测试报告TSNEC2000076307
本报告为SGS出具的一份关于SOT236-PINLEAD（纯锡镀层产品）的测试报告。报告编号为TSNEC2000076307，测试日期为2020年1月21日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令2015/863的规定。
A6318AE5VR-ADJ（SVHC）测试报告TSNEC2000076307
本报告为SGS出具的一份关于SOT236-PINLEAD（纯锡镀层产品）的测试报告。报告编号为TSNEC2000076307，测试日期为2020年1月21日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令2015/863的规定。
A6303CE3R-18（SGS）测试报告TSNEC2000076307
本报告为SGS出具的一份关于SOT236-PINLEAD（纯锡镀层产品）的测试报告。报告编号为TSNEC2000076307，测试日期为2020年1月21日。报告内容包括样品信息、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令2015/863的规定。
美丽微半导体（FORMOSA）肖特基二极管选型指南
Formosa Microsemi Co., Ltd. (Formosa Microsemi) was founded in 1996. Since its inception, we have been dedicated to the professional production of semiconductors. The company mainly produces switching diodes, fast diodes, zener diodes, Schottky diodes, TVS (surge absorber) and ESD (anti-static components), bridge rectifiers, MOSFETs, Transistors and other wafers and packaging products.~~~~~~有限公司成立于1996年。自成立以来，我们一直致力于半导体的专业生产。公司主要生产开关二极管、快速二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、TVS（浪涌吸收器）和ESD（防静电元件）、桥式整流器、MOSFET、晶体管等晶圆及封装产品。
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